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受性能驱动和成本驱动影响，封装技术路径大致可分为***个阶段：第一阶段为上世纪**年代以前，封装的主体技术是针脚插装；第二阶段是从上世纪**年代中期开始，表面贴装技术成为最热门的组装技术，改变了传统的PTH插装形式，通过微细的引线将集成电路芯片贴装到基板上，大大提高了集成电路的特性，而且自动化程度也得到了很大的提高；第三阶段为上世纪**年代，随着器件封装尺寸的进一步小型化，出现了许多新的封装技术和封装形式，其中最具有代表性的技术有球栅阵列、倒装芯片和多芯片组件等，这些新技术大多采用了面阵引脚，封装密度大为提高，在此基础上，还出现了芯片规模封装和芯片直接倒装贴装技术。第四代封装技术以SiP、WLP和TSV为代表，在凸点技术和通孔技术的基础上，进一步提高系统的集成度与性能。
封装技术发展路径
自**年“摩尔定律”提出以来，微电子器件的密度几乎沿着“摩尔定律”的预言发展。截至**，芯片特征尺寸14nm已经实现量产，10nm正在进行试产，7nm尚属研发阶段，已接近物理极限，再想通过降低特征尺寸来提高电路密度不仅会大幅提高成本，还会降低电路的可靠性。为了提高电路密度，延续或超越“摩尔定律”，籍由先进封装技术成为必然。
产业调研网发布的中国ic先进封装市场调研与发展趋势预测报告（2023年）认为，SiP技术将系统或子系统的全部或大部分电子功能配置在整合型基板内，即将原来的***个封装层次（一级芯片封装、二级插板/插卡封装、三级基板封装）浓缩在***个封装层次内，极大地提高了封装密度和封装效率。WLP技术直接在晶圆上进行大多数或是全部的封装测试程序，之后再进行切割（singulation）制成单颗组件，封装尺寸小。TSV技术在芯片钻出通孔，从底部填充入金属，硅晶圆上以蚀刻或激光方式钻孔，再以导电材料如铜、多晶硅、钨等物质填满，可以实现三维封装，组装密度可达到***-***。
《中国ic先进封装市场调研与发展趋势预测报告（2023年）》依据国家权威机构及ic先进封装相关协会等渠道的权威资料数据，结合ic先进封装行业发展所处的环境，从理论到实践、从宏观到微观等多个角度对ic先进封装行业进行调研分析。
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产业调研网发布的是ic先进封装业内企业、相关投资公司及政府部门准确把握ic先进封装行业发展趋势，洞悉ic先进封装行业竞争格局，规避经营和投资风险，制定正确竞争和投资战略决策的重要决策依据之一。
